Samsung se joint à Micron pour développer la HMC, 15x plus rapide que la DDR3 !

Après une première annonce faite par Micron en février, puis la confirmation que les choses avançaient bien au mois d'août, voici qu'un tournant important semble prendre forme en faveur de la Hybrid Memory Cube, alias HMC.

La RAM révolutionnaire, annoncée comme pouvant atteindre environ 15 fois la bande passante de la DDR3 actuelle, a en effet trouvé un second mentor de poids puisque Samsung a désormais rejoint Micron dans cette quête du Saint Graal. C'est même plus encore que cette alliance qui est mis en place, puisque les deux lascars viennent de fonder le HMCC, Consortium travaillant sur la HMC et ouvert donc à l'adhésion de nombreux autres partenaires qui le désireraient. Ainsi trois autres compagnies auraient déjà indiqué leur intérêt de rejoindre Micron et Samsung, Alteron Corp., Open Silicon et XilinX pour ne pas les nommer.

Du côté de Samsung, l'intérêt d'une telle mémoire paraît évident. Pablo Temprano, directeur du marketing DRAM, rappelle ainsi qu'à l'heure actuelle les capacités de calcul des processeurs sont telles, que la mémoire vive n'arrive pas suivre la cadence et devient un facteur limitant aux performances globales. Avec le bond en avant promis par la HMC, cela ne serait plus que du passé et Samsung compte bien faire partie de l'aventure qui permettra peut-être de briser le "Memory Wall" auquel la DDR se heurte actuellement, pour reprendre les termes employés par Micron.