Une nouvelle méthode de gravure au MIT : en route vers les 2,5 nm ? |
————— 10 Décembre 2018 à 12h12 —— 14511 vues
Dans le temps, améliorer la finesse de gravure était chose facile, ce qui a bercé l'enfance de bon nombre de nos piliers de comptoir. Désormais, l'opération est bien plus complexe, nécessitant de passer dans d'autres gammes d'UV (par exemple pour le 7nm), et ce n'est sûrement pas Intel, embourbé dans un 10 nm boiteux, qui nous dira le contraire !
Le clap de fin pour le silicium tournera autour des 3nm (commerciaux rappelons-le), après quoi il faudra trouver d'autres solutions pour augmenter les performances. Une nouvelle méthode mise au point par des chercheurs du MIT en collaboration avec l'Université du Colorado permettrait de descendre un cran plus fin. En effet, avec cette technologie, il sera possible d'agir sur les atomes individuellement, ce qui a permis de fabriquer le plus petit transistor 3D au monde, avec une taille de 2,5 nm.
Nommée Thermal Atomic Level Atching (thermal ALE pour les amateurs de houblon), cette technique date de 2016 mais est appliquée pour la première fois dans un réacteur test par cette équipe. Le métal retenu est un alliage : de l'arsenide d'indium-gallium (InGaAs), dont les propriétés dépassent celles du silicium classique. L'opération consiste en l'exploitation d'ions liguant emportant avec eux un atome du semi-conducteur. Dans leur expérience, une épaisseur de 0,02 nm était enlevée à chaque cycle d'exposition, c'est que c'est fin ma petite dame !
"Jette ce masque (de gravure) de suite !"
On se doute donc que cette manipulation d'atome entraîne un surcoût certain de la chaîne de production. Il est donc peu probable de voir ce procédé appliqué comme tel dans un futur à moyen terme, sauf cas (et tarifs) spécifiques. On croise tous nos doigts pour leur succès ! (Source : MIT News)
