Samsung exhibe un Z-SSD au format M.2 avec de la Z-NAND |
————— 29 Mars 2018 à 12h45 —— 17817 vues
C'est en janvier dernier que Samsung avait lancé son premier Z-SSD, le SZ985, embarquant jusqu’à 800Go de Z-NAND et qui se veut être une alternative valable face à la mémoire 3D XPoint développée par Intel. En gros, le SZ985 est un SSD au format PCIe hautement performant et endurant à destination des entreprises, sans toutefois faire péter les records en matière de vitesse écriture, il arrive néanmoins à niveau avec les SSD Optane d'Intel. Samsung n'a pas été très bavard ni sur les spécifications exactes ni sur le fonctionnement de la Z-NAND, si ce n'est qu'il s'agit en fait de NAND 3D MLC configurée en mode SLC, lui permettant ainsi d'obtenir un boost en performance et endurance.
Lors de l'OCP à San Jose, Samsung a finalement aussi dévoilé un Z-SSD SZ985 au format M.2. Malheureusement, peu d'informations à son sujet auront pu y être glanées, si ce n'est que le SZ985 (à noter que son sticker indique un SZ983, une erreur de frappe ?) embarque un contrôleur SSD assez large qui s'est révélé être le même contrôleur NVMe Phoenix 8-canaux déjà rencontré sur les dernières séries SSD 98x de Samsung. Beaucoup s'attendent d'ailleurs à voir ce contrôleur apparaître prochainement sur la future génération de SSD grand public de Samsung, dont les successeurs des très réputés (pas toujours positivement) 960 PRO et 960 EVO.
Enfin, le SZ985 (ou SZ983 ?) devrait arriver en deux capacités de 240 et 480 Go, c'est la version 240 Go qui était présente au stand à l'OCP. Par ailleurs, il s'agit aussi de la plus petite capacité proposée par le Z-SSD SZ985 au format PCIe lancé en janvier, sachant que celui-ci atteint 800 Go au maximum, pour le moment. Il se peut donc qu'une capacité de 480 Go soit en fait la limite de ce que Samsung arrivera à installer avec cette génération de Z-NAND sur ce petit format qu'est le M.2. Similairement au SZ985 PCIe, Samsung annonce une vitesse de lecture séquentielle de 3200 Mo/s et 2800 Mo/s en écriture séquentielle, le tout associé à une capacité de 30 réécritures complètes par jour (DWPD).
Il n'est pas exclu que Samsung puisse un jour proposer un Z-SSD avec de la Z-NAND à orientation grand public pouvant ainsi entrer en compétition directe avec les Optane 800P d'Intel lancés très recemment, quoique, un remplacement des 960 PRO et 960 EVO à base de NAND MLC "classique" pourrait bien être plus que suffisant aussi pour permettre à Samsung de rester dans la danse. Bon, plus de performance c'est chouette, mais tirer les prix vers le bas serait encore meilleur ! (Source : Anandtech)
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Il y a un marché, surtout au vu du prix de la RAM pour un tel SSD avec 120 à 400 Go selon usage.
Ce genre de SSD devrait comporter une protection contre les coupures de courant.
Or si un SSD à base de NAND flash est facile à cerner, un Optane, c'est moins sûr. On ne comprend en effet pas la véritable gestion du vieillissement des cellules, adressables bit par bit de l'Optane, qui se passe quasiment de système d'overprovisioning. Ainsi on ne comprend pas la raison de l'énorme différence (très supérieur à la différence de taille) en endurance entre l'Optane 900p et le 800p qui sont faits à base des même circuits 3DXpoint. Et bien sûr Intel et Micron ne donnent pas la moindre explication. On sent qu'ils nous cachent quelque chose . Au moins l'un des deux chiffres est bidon.
Du coup la Z-Nand de Samsung, si on arrivait à en connaître le prix serait la solution pour un tel usage. Pour rappel certaines SLC sont capables de supporter 100 000 réécritures (classiquement au moins 10 000) par cellule. Avec l'overprovisioning, on a du concret sur l'endurance.