Samsung passe la vitesse supérieure sur la production de V-NAND

Alors que Western Digital est sur les rangs depuis février et que SK / Hynix annonçait cette semaine démarrer la production de masse sur des puces de NAND 3D à 72 couches, c'est Samsung qui sort Bob de son bureau pour annoncer un peu de neuf de leur côté. Ayant annoncé le 15 juin dernier la mise en production de masse de leur technologie 64 couches sur sa NAND 3D, ou V-NAND de 4e génération, cette fois la firme indique passer le production sur un deuxième site, à savoir sa toute nouvelle usine de semiconducteur basée en Corée du Sud, à Pyeongtaek. Un monument de production donnée pour être la plus grande au monde (on les croit volontiers), récemment achevée au terme de 2 ans de travaux qui leur aura coûté la bagatelle de 26 milliaaaarrds de $ US d'ici 2021, date à laquelle la bête sera pleinement opérationnelle.

Vous les voyez les 64 couches ? Non ? Bah alors !

Une usine destinée initialement à pondre des kilomètres de DRAM, vu le contexte actuel et la forte demande. Mais même si les procédés de fabrication sont très différents, comme c'est tout pareil côté demande sur la NAND et qu'il ne s'agirait tout de même pas trop laisser de champ libre à la concurrence, le constructeur à donc opté pour cette option. Il faut garder en mémoire qu'une telle structure ne fonctionne pas en appuyant sur un simple bouton ON / OFF, et que la répercussion sur la production globale ne sera pas immédiate, donc n'attendez pas une éventuelle baisse de pression tarifaire à la suite de cette annnonce ! Comme le rapporte Anandtech, il devrait s'agir de production de dies de 512Gb TLC dotés d'un débit carburant à 800 MT/s, tandis que la précédente annonce datant de juin dont nous vous parlions plus haut concernant des dies de 256Gb à 1000 MT/s, on devrait logiquement avoir un peu de mouvement côté actu produit prochainement chez Sam.