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De la HBM2 rapide chez Samsung, un petit pas de franchi !

Jusque-là, la HBM2 d'origine Hynix ou Samsung plafonnait à 1 GHz ou 2Gbps si vous préférez. AMD a collé de la 1.6 Gbps sur ses RX Vega 56 et de la 1.89 Gbps pour la RX Vega 64, tandis que le caméléon s'est contenté de la 1.7Gbps pour sa Titan V. On peut donc voir que les difficultés à produire de la HBM2 à 2 Gbps sont réelles (AMD en sait quelque chose), mais cela n'empêche pas les grands pontes de la mémoire de continuer à bosser. C'est ce que Samsung vient de déclarer en substance.

 

Et la nouvelle est bonne puisque ce dernier vient d'officialiser le début de la production de masse de modules de 8Go de HBM2 à 2.4 Gbps. Elle pompe autant que l'ancienne en 1.6 Gbps tout en étant plus véloce, à savoir 1.2V, et moins que la 2 Gbps qui dégustait paisiblement ses 1.35V. On peut donc dire que le procédé de gravure mûrit, et on est impatients de savoir quelles cartes vont intégrer cette mémoire, aussi bien chez AMD (VEGA 7nm même si on n'en verra pas la couleur pour le grand public en 2018), que Nvidia (GV102 ou possiblement un GV104 flagship aux débuts de Volta ?)

 

Espérons également que les tarifs de production diminuent quelque peu en 2018, pourquoi pas un Vega Refresh avec une telle mémoire qui en plus consommerait moins ? Assurément cela permettrait à AMD de replacer sa carte. Attendre et patienter tranquillement, telle est la conduite à tenir !

 

samsung hbm2 8go

Un poil avant ?

... Et en plus il s'attaque au marché du clavier gaming !

Un peu plus tard ...

Spectre & Meltdown : explication des failles et des mesures correctives

Les 9 ragots
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ouverts à tous, c'est open bar !
par Un ragoteur macagneur embusqué, le Mardi 16 Janvier 2018 à 20h39  
par Un #ragoteur déconnecté embusqué, le Mardi 16 Janvier 2018 à 15h44
La problématique de l'eDRAM c'est surtout que les cellules de RAM n'aiment pas la chaleur et ne peuvent pas non plus être refroidies prioritairement face à l'ASIC qu'elles servent...
Pourtant un Vega 64 peut dépasser les 250W et dispose de 2 puces HBM.
Et intel a déjà intégré de la HBM sur un même socket, cf les i7-8XXXG.
par Un ragoteur de transit embusqué, le Mardi 16 Janvier 2018 à 16h19  
par Un #ragoteur déconnecté embusqué, le Mardi 16 Janvier 2018 à 15h44
La problématique de l'eDRAM c'est surtout que les cellules de RAM n'aiment pas la chaleur et ne peuvent pas non plus être refroidies prioritairement face à l'ASIC qu'elles servent...
Cela ne doit pas être bien difficile d'isoler le die de l'eDRAM du radiateur du processeur. Intel le fait déjà très bien avec son pad thermique entre le die de ses processeurs et le heatspreader.
par Un #ragoteur déconnecté embusqué, le Mardi 16 Janvier 2018 à 15h44  
La problématique de l'eDRAM c'est surtout que les cellules de RAM n'aiment pas la chaleur et ne peuvent pas non plus être refroidies prioritairement face à l'ASIC qu'elles servent...
par Un ragoteur sans nom embusqué, le Dimanche 14 Janvier 2018 à 23h19  
par Un ragoteur macagneur embusqué, le Samedi 13 Janvier 2018 à 15h44
A quand de la HBM dans nos CPU et nos smartphone ?
...
Et quand on voit que certains cpu se vendent plus de 8000€, je ne pense pas que ca soit un problème de coûts.
Je pense que les ingénieurs ne savent pas comment combiner une solution mémoire on-chip (multidie pour limiter le coût des rebuts de fonderie) très rapide avec l'extensibilité de la capacité externe nécessairement plus lente. Cela nécessiterait un mode d'accessibilité particulier à bas niveau à l'instar des extensions SIMD.

Autant cette solution peut présenter un intérêt du point de vue latence, autant pour augmenter le débit de transfert je pense qu'il serait plus judicieux de basculer vers une liaison série (e.g. PCI-E).
par Un ragoteur sans nom embusqué, le Dimanche 14 Janvier 2018 à 22h52  
par Un électronicien embusqué, le Samedi 13 Janvier 2018 à 10h19
Faux, archi faux, puisque dans le cas présent les nouveaux composants HBM2 fonctionnent à une fréquence plus élevée que les anciens, et que le courant consommé dans des circuits numérique ne résultent pas des courants en régime constant (état 0 ou 1 établi sur une porte) mais bien des états transitoires (passages de 0 à 1 et inversement).
L'augmentation de la fréquence peut bien augmenter la consommation mais pas la diminution de la tension de fonctionnement puisque cela revient à diminuer l'effet JOULE dans la résistance de fuite du transistor FET quelque soit le régime.

La loi d'Ohm est claire: U = R*I soit I = U/R

Comme P = U*I soit P = U²/R

D'où la perte JOULE est proportionnelle au carré de la tension appliquée au transistor FET.

D'ailleurs la capacité intrinsèque ne consomme aucune énergie mais limite la fréquence de fonctionnement du transistor FET.

L'autoproclamé électronicien devrait revoir les fondamentaux de l'électricité...
par Un ragoteur macagneur embusqué, le Samedi 13 Janvier 2018 à 15h44  
A quand de la HBM dans nos CPU et nos smartphone ?
Une seule puce permet d'atteindre 300Go/sec alors qu'il faut 64 puces de DDR4 répartie sur 4 barrettes pour atteindre les 60Go/sec... Et je ne parle même pas de la latence.
Avec simplement 64Mo d'edram intel arrivait à améliorer l'ipc de ses broadwell de 5 à 15%, j'imagine même pas avec 8Go de HBM ce que cela pourrait donner.
Et quand on voit que certains cpu se vendent plus de 8000€, je ne pense pas que ca soit un problème de coûts.
par Un électronicien embusqué, le Samedi 13 Janvier 2018 à 10h19  
par Un ragoteur charitable embusqué, le Vendredi 12 Janvier 2018 à 16h48
Pour info ce sont des transistors FET pas des BJT alors si la tension de fonctionnement est plus faible, il serait très étonnant que les pertes JOULE dans l'isolant explosent...
Faux, archi faux, puisque dans le cas présent les nouveaux composants HBM2 fonctionnent à une fréquence plus élevée que les anciens, et que le courant consommé dans des circuits numérique ne résultent pas des courants en régime constant (état 0 ou 1 établi sur une porte) mais bien des états transitoires (passages de 0 à 1 et inversement).
par Un ragoteur charitable embusqué, le Vendredi 12 Janvier 2018 à 16h48  
par Un électronicien embusqué, le Vendredi 12 Janvier 2018 à 10h19
La tension d'alimentation d'un circuit intégré ne dit pas grand chose de sa consommation de puissance. Il convient de connaître le courant consommé avant de pouvoir affirmer qu'un circuit intégré "pompe" moins qu'un autre. P=U.I
Pour info ce sont des transistors FET pas des BJT alors si la tension de fonctionnement est plus faible, il serait très étonnant que les pertes JOULE dans l'isolant explosent...
par Un électronicien embusqué, le Vendredi 12 Janvier 2018 à 10h19  
 
Elle pompe autant que l'ancienne en 1.6 Gbps tout en étant plus véloce, à savoir 1.2V, et moins que la 2 Gbps qui dégustait paisiblement ses 1.35V

La tension d'alimentation d'un circuit intégré ne dit pas grand chose de sa consommation de puissance. Il convient de connaître le courant consommé avant de pouvoir affirmer qu'un circuit intégré "pompe" moins qu'un autre. P=U.I