Intel et Micron annoncent leur technologie de mémoire 3D XPoint "révolutionnaire"

Fin mars, on découvrait qu'Intel et Micron comptaient révolutionner le monde de la mémoire non volatile avec leurs nouvelles puces à empilement vertical. C'était juste après l'annonce des puces BiCS et BiCS2 de Toshiba et SanDisk et c'était très à la bourre niveau communication, abuser du terme "révolution" étant devenu bien has been (comme le fait de dire "has been" d'ailleurs).

Histoire de se démarquer, on ne parle plus ici de NAND 3D, mais de 3D XPoint (nom de la nouvelle technologie Intel/Micron) et les promesses sont de l'ordre de 1000 fois mieux côté latence et endurance, avec des mémoires 10 fois plus denses. Et pour cause, nous ne sommes plus sur un mécanisme à transistors, mais sur un matériau à changement d'état semble-t-il (on attend des éléments) physique, comme la ReRAM.

Pour rappel, ces petits bouts de silicium pourront empiler 32 couches pour arriver à 256Gb par puce en MLC et 384Gb par puce en TLC. Par rapport aux NAND de 48Gb, ça laisse présager du mieux niveau capacités de stockage ou des formats plus réduits pour les modèles de 1 à 4To. Loin de chambouler le monde des SSD, cette technologie va permettre de le faire évoluer et la compétition entre NAND, VNAND, BiCS, BiCS2 et 3D XPoint permettra d'avoir bien plus d'émules que ce que l'on a pu voir ces dernières années côté CPU et GPU. Déploiement commercial attendu pour début 2016.