IBM, GloFo et Samsung ont réussi à graver en 5nm

Comme vous le savez très certainement, améliorer les finesses de gravure pour les petits transistors de nos chers composants devient quelque chose d'assez ardu. Pourtant l'alliance de recherche formée par IBM, GlobalFoundries et Samsung vient de réussir à créer un procédé permettant de graver des transistors en 5nm, dépassant la gravure 7nm devenue utilisable il y a seulement deux années.

La lithographie à rayonnement ultraviolet extrême (Extreme Ultraviolet Lithography) n'avait pour l'instant jamais réussi à graver en 5nm, mais le procédé GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor) d'IBM vient de le faire et devient donc une solution de remplacement à ce bon vieux FinFET actuellement utilisé. Une plaquette de 50mm² gravée en 5nm contient 30 milliards de transistors, soit 50% plus que ce que la meilleure solution actuelle propose. De quoi assurer de belles commandes aux trois géants, en mettant la pression à Intel qui n'en est pas encore là, et permettre à l'industrie des nouvelles technologies de continuer à pousser plus loin. Le but est toujours de se rapprocher du 1nm, finesse actuellement vue comme impossible à dépasser avec nos connaissances actuelles, surtout que nombreux sont ceux qui estiment qu'aller sous les 5nm ne sera pas possible. Nous verrons bien ce que le futur nous réserve !