Intel voit la vie en 3D : le transistor est mort, vive le transistor ! |
————— 06 Mai 2011 à 11h03 —— 18520 vues
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Intel tri-gate - gate delay
Intel voit la vie en 3D : le transistor est mort, vive le transistor ! Après 50 ans de bons et loyaux services, le transistor s'apprête à faire sa révolution, du moins chez Intel. En chantier depuis une bonne décennie, le fondeur annonçait hier tout gaiement l'aboutissement de ses travaux et la matière et une mise en oeuvre très rapide puisque les premières puces à en profiter ne seront autres que les Ivy Bridge gravés en 22nm à venir à la fin de l'année.
A gauche un transistor classique, à droite un transistor Tri-gate (en jaune le flux électrique)
Mais au fait, à part qu'ils sont une chiée +10 dans un processeur, ils servent à quoi ces transistors ? Eh bien en fait, c'est très bête : sa fonction de base est de laisser passer l'électricité, ou pas : c'est un interrupteur. Interconnectés par millions sur un circuit intégré, ils permettent la conception des circuits complexes qui sont la base des processeurs ou encore des mémoires dans leurs sens les plus génériques. Dans leur forme planaire traditionnelle, les fondeurs commençaient sérieusement à se heurter à des soucis de fuite électrique et de perte de signal, se traduisant par une perte d'énergie à dissiper.
![Intel tri-gate - gate delay [cliquer pour agrandir]](/images/stories/_cpu/intel_tri-gate-gate_delay_t.jpg "Si vous cliquez, vous cliquez.")
Afin de rendre hommage à la loi de Roger Moore, rien de tel que de revoir la base de la base. Exit structure planaire sur un seul niveau, bonjour structure tridimensionnelle... Sur 3 plans donc. Ca a l'air compliqué comme ça, mais en fait non, enfin si on n’entre pas trop dans les détails. La porte planaire du transistor permettant le contrôle du courant se voit remplacée par une ailette verticale où vient se greffer 3 portes, 2 d'entre elles s'ajoutant sur les côtés. Cela permet de contrôler plus vite le flux électrique, et aussi d'augmenter la densité des transistors. Baptisé Tri-Gate, selon Intel ce nouveau procédé permet un gain de 18 à 37% de performances brutes en fonction de la tension face à l'ancienne technologie gravée en 32nm, le tout avec une consommation électrique moindre, et surtout beaucoup mieux canalisée. Rien ne vaut de belles images aussi, visualisez la vidéo ci-dessous pour voir la chose animée.
Une évolution majeure pour le fondeur, qui devrait sonner le glas des plateformes ultra mobiles peu concurrentielles de Santa Clara en plus d'apporter toute la souplesse nécessaire à la mise au point des puces toujours plus puissantes en adéquation avec ce bon vieux Roger, et ce pour les années à venir.
Tout ça en vidéo avec l'impaybale Mark Bohr, boss de la divison process architecture & integration (c'est en anglais, ha bah oui)
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"We put these things on the shelf. It is up to others to decide when to use them. They may be held for two, three, four years." Gargini gave the example of high-K metal-gate technology at Intel which was ready in 2005, he said, but for which volume production was delayed a couple of years.
Prochaine étape majeure pour la seconde moitié de cette décennie (industrialisation en 2017 avec le 7nm ?) : l'emploi d'une combinaison de matériaux III-V mais cela reste un challenge industriel.
First as a reminder, unlike silicon, a compound semiconductor is made up of two or more elements, indium, gallium and arsenic for example (InGaAs). Using two or more elements means more opportunity to tune the materials for performance or optical properties but also makes the challenge of fabricating wafers and processing much more complicated.