Samsung Foundry confirme des changements sur sa roadmap et pour son 3 nm

Alors que Samsung cherchait à se dépêcher sur le 3 nm au point de vouloir éclipser le 4 nm, un projet que l'on aurait effectivement pu imaginer en bon chemin avec le tape-out en 3 nm avec transistors GAAFET, quelques changements ont néanmoins été effectués sur la roadmap de sa division fonderie concernant le 3 nm et ses fameux transistors gate-all-around (GAA) - que Samsung nomme également MBCFET, pour multi-bridge channel field-effect transistors.

Grâce à une présentation du fondeur lors du Foundry Forum 2021 en Chine, on sait désormais que le procédé 3GAE — 3 nm gate-all-around early, la première version du 3 nm de Samsung — arrivera bien avec du retard, avec une production en volume planifié pour 2022 au lieu de 2021 comme cela avait été annoncé en 2019 lors de son introduction. La raison de ce changement n'est évidemment pas connue, mais on peut évidemment spéculer que la conception des nouveaux types de transistors a peut-être été plus difficile qu'anticipée, ou que la feuille de route initiale fut tout simplement trop ambitieuse et pas très réaliste. Notons que cette version a disparu de la roadmap publique du fondeur, ce qui sous-entendrait que le procédé ne sera pas disponible pour tout le monde et pourrait n'être exploité qu'exclusivement par Samsung System LSI (Large Scale Integration) et une poignée de clients privilégiés. Ce ne serait pas la première fois et le premier node d'une génération chez Samsung a de toute façon rarement été massivement adopté par sa clientèle.

Par contre, le procédé 3GAP - 3 nm gate-all-around plus -  figure toujours sur la roadmap, il s'agira donc sans aucun doute de la version réellement commerciale et ouverte à tous du 3 nm de Samsung. La production en volume de celui-ci est planifié pour 2023, ce qui veut dire que la démocratisation des transistors MBCFET attendra encore un peu. 

En contrepartie, les nodes 5LPP et 4LPP ont été ajoutés à la roadmap du fondeur coréen, il s'agira toujours de procédés FinFET et qui reproduiront donc les étapes intermédiaires — plus faciles à exploiter par la clientèle avec leurs IP existantes, car toujours le même type de transistors — que le concurrent TSMC a lui aussi sur sa feuille de route. La production en volume du 5LPP est planifiée encore pour cette année et celle du 4LPP pour 2022, mais l'augmentation de leur production démarrera presque simultanément en 2021. Initialement, Samsung affichant le 4LPE comme étant une amélioration du 7LPP, mais 5 nm et 4 nm sont désormais affichés comme des classes à part, suggérant que les améliorations en performance et en consommation seront notables, ou que les procédés ont au moins fait l'objet d'importantes évolutions internes par rapport au 7 nm. Assez pour excuser le retard du 3 nm ?